IP4359CX4是一款双通道低电容静电放电(ESD)保护器件，为接触放电电压高达±15 kV、空气放电电压大于±15 kV的下游器件提供ESD保护，符合IEC 61000-4-2模型标准，远超第四级标准。

该器件经过优化以保护高速接口（如通用串行总线(USB) 2.0、高清多媒体接口(HDMI)、数字视频接口(DVI)和其他要求极低电容ESD保护的接口）。

该器件提供两种高度的封装版本：0.61 mm和最大高度较低的0.5 mm。这两种版本的电路相同，电气性能也相同。两条ESD保护通道共享公共接地连接，但互相之间电气隔离，防止回流驱动至相邻通道。IP4359CX4利用单芯片硅技术制造，采用单晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。这些特性使得IP4359CX4非常适合要求具有最小元件尺寸的应用，如手机和其他便携式电子设备。

• 符合RoHS标准的无铅封装，无卤/无锑（符合“深绿”标准）
• 2个超低输入电容轨到轨ESD保护二极管，C(I/O-GND) = 1.3 pF
• Rdyn = 0.45 ?
• 集成ESD保护，最大接触放电电压±15 kV，最大空气放电电压大于±15 kV，远高于IEC 61000-4-2四级标准要求
• 提供IP4359CX4/LF标准高度版本(0.61 mm)
• 提供IP4359CX4/LF-H500更低高度版本（最大高度为0.5 mm）
• 2 × 2焊球WLCSP封装，间距0.4 mm

• 高速接口ESD保护，如USB 2.0、HDMI、DVI等
• 低电容ESD保护具有特殊要求的接口
• 要求隔离正钳位电压/电流路径的接口

• PTVS7V0P1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• BUK961R6-40E - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• NZX30A - 单倍齐纳二极管
• PSMN2R8-25MLC - N沟道25 V 2.8 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• BZX84J-B75 - 单倍齐纳二极管
• 74HCT132DB - 四路2输入与非施密特触发器
• 74HCT3G16GD - 三路缓冲器门
• 74HCT368D - 六位元缓冲器/线路驱动器；3态；反相
• PESD3V3U1UA - 超低电容单向ESD保护二极管
• 74HC151PW - 8输入多路复用器