74LVC1G386提供一个3输入异或功能。

输入可通过3.3或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• 闭锁性能超过250 mA
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM EIA/JESD22-A114E超过2000 V
  • MM EIA/JESD22-A115-A超过200 V
• SOT363和SOT457封装
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PUMD24 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 100 kOhm
• PMBTA64 - PNP达林顿晶体管
• BZT52H-C47 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PMEG3005ELD - 0.5 A低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
• BCX71H - PNP通用晶体管
• 74AUP1G132GN - 低功耗2输入与非门施密特触发器
• BZB84-C11 - 双倍齐纳二极管
• PSMN3R5-30YL - N沟道30 V 3.5 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装
• CBT3251 - 8选1 FET多路复用器/解复用器
• BUK6507-75C - N沟道TrenchMOS FET