IP4256CZ3-M是单通道低通滤波器，而IP4256CZ5-W和IP4256CZ6-F是双通道RC低通滤波器。所有器件均提供高电平静电放电(ESD)保护。

这些器件设计用于防止各种便携式通信发射器应用中的无用RF信号。这些器件集成有二极管，保护下游元件免受接触放电电压高达±25 kV的静电放电(ESD)损坏，远高于IEC 61000-4-2第四级标准。

这些器件利用单芯片硅技术制造，采用无铅塑料封装。

• 符合危险物质使用限制(RoHS)标准的无铅封装，无卤/无锑（符合“深绿”标准）
• 0 V偏置电压(DC)时，100 ?串联通道电阻和30 pF通道电容
• 提供ESD保护，最大接触放电电压±25 kV，远高于IEC 61000-4-2第四级标准
• 单和双通道集成式n型RC滤波器网络
• IP4256CZ3-M：采用3针脚方形扁平无引脚封装(QFN)兼容MicroPak塑料封装的单通道器件
• IP4256CZ5-W：采用5针脚塑料封装的双通道器件，间距0.5 mm
• IP4256CZ6-F：采用6针脚QFN兼容MicroPak塑料封装的双通道器件，间距0.5 mm

• 为下列应用提供通用电磁干扰(EMI)、射频干扰(RFI)滤波以及下游器件的ESD保护：
  • 移动电话和个人通信系统(PCS)手机
  • 无绳电话
  • 无线数据(WAN/LAN)系统

• PSMN3R2-30YLC - N沟道30 V 3.5m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• PSMN2R8-80BS - N沟道80 V，3 m?标准电平FET，采用D2PAK封装
• PSMN2R6-30YLC - N沟道30 V 2.8 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• BZT52H-B5V1 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PSMN1R6-30BL - N沟道30 V 1.9 m?逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装
• PCA9513A; PCA9514A - 可热插拔的I2C总线和SMBus总线缓冲器
• PMEG3020EP - 2 A低Vf MEGA肖特基势垒整流二极管
• 2PB709AW - PNP通用晶体管
• 74LVT162245BDGG - 3.3 V LVT 16位收发器，具有30 Ohm端接电阻（3态）
• 74ALVT162827 - 20位缓冲器/线路驱动器，非反相，具有30 Ohm端接电阻（3态）