220 W LDMOS功率晶体管，适合1800 MHz至2000 MHz频率范围的基站应用。

• 出色的耐用性
• 高效率
• 低Rth，提供极佳的热稳定性
• 设计用于宽带操作
• 更低的输出电容，可增强Doherty应用中的性能
• 针对低内存占用量设计，提供出色的预失真性能
• 内部匹配，便于使用
• 集成式ESD保护
• 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令

• 适合1800 MHz至2000 MHz频率范围内W-CDMA基站和多载波应用的RF功率放大器

• SC18IM700IPW - UART インタフェス付きマスタ I²C バスコントロラ
• BC55-16PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A NPN medium power transistors
• PBSS4240X - 40 V、2 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74AUP2G06GS - 低功耗双路反相器，带开漏输出
• PDTC143XU - NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 10 kΩ
• TEA1716T - 具有集成间歇频率工作模式、符合EuP lot 6的HV启动谐振LLC+PFC组合控制器
• PSMN8R0-80YL - N-channel 80 V, 8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• BUK9624-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BZV55-C2V7 - 稳压器二极管
• PTN3361CBS - Enhanced performance HDMI/DVI level shifter with active DDC buffer, supporting 1.65 Gbit/s operation