HEF4050B提供六个非反相缓冲器，具有高电流输出能力，适用于驱动TTL或高容性负载。由于允许超过缓冲器电源电压的输入电压，缓冲器也可以用来将高达15 V的逻辑电平转换为标准TTL电平。

其工作电压为建议的3 V至15 V的VDD电源电压，以VSS（通常为地）为参考。未使用的输入必须连接到VDD、VSS或另一个输入。

• 接受超过电源电压的输入电压
• 全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数额定值
• 标准化对称输出特性
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C
• 符合JEDEC标准JESD 13-B

• LOCMOS（局部氧化CMOS）至DTL/TTL转换器
• 驱动两个TTL负载的高电平灌电流
• 高电平至低电平逻辑转换

• PESD1CAN-U - CAN总线ESD保护二极管
• PBSS4130PAN - 30 V，1 A NPN/NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• PTVS33VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• BC847QAS - 45 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor
• 74HCT166D - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• 74LVC16240ADGG - 16位缓冲器/线路驱动器，带5 V容压输入/输出；反相；3态
• NT3H1101W0FHK - NTAG I2C - Energy harvesting NFC Forum Type 2 Tag with field detection pin and I2C interface
• 74HC590PW - 8位二进制计数器，带输出寄存器；3态
• 74AUP1G11GW - 低功耗3输入与门
• PSMN025-100D - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET