HEF40373B是带3态缓冲输出的8位穿透锁存器。输出级具有高电流输出能力，适用于驱动高电容负载。锁存使能(E)为高电平时，锁存输出跟随数据输出。E为低电平时，符合设置时间的数据会被锁存。3态输出通过输出使能输入OE控制。OE上的高电平使输出呈高阻抗关断状态。该器件在E输入上具有迟滞，可提高抗噪性。E输入中的施密特触发器动作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

HEF40373B与TTL“373”器件针脚和功能兼容。

电源电压范围：3 V至15 V。

• Supply voltage range from 3.0?V to 15.0 V
• CMOS low power dissipation
• High noise immunity
• Complies with JEDEC standard JESD 13-B
• ESD protection:
  • HBM EIA/JESD22-A114-A exceeds 2000?V
  • MM EIA/JESD22-A115-A exceeds 200?V
• Specified from -40?°C to 85?°C

• BLF8G20LS-140(G)V - Power LDMOS transistor
• HEF4069UBT - 六频逆变器
• 74HC151D - 8输入多路复用器
• PMEG3020CPAS - 30 V, 2 A low VF dual MEGA Schottky barrier rectifier
• BLF7G27L-140 - 功率LDMOS晶体管
• 74AUP1G19GW - 低功耗2选1解码器/解复用器
• 74HCT259DB - 8位可寻址锁存器
• PDTA113ET - PNP配电阻晶体管；R1 = 1 kOhm，R2 = 1 kOhm
• BLC9G27LS-150AV - LDMOS功率晶体管
• BZA862A - 四倍ESD瞬态电压抑制器