HEF40175B为四路边沿触发的D型触发器，具有四个数据输入端（D0至D3）、一个时钟输入端(CP)、一个覆盖异步主复位输入端(MR)、四个缓冲输出端（Q0至Q3）和四个互补缓冲输出端（Q0至Q3）。当MR为高电平时，D0至D3上的信息将在CP从低电平至高电平转变时传输至Q0至Q3。当为低电平时，MR将复位所有触发器（Q0至Q3为低电平；Q0至Q为高电平），无论CP以及D0至D3的情况如何。

其建议的VDD电源电压范围为3 V至15 V，以VSS为基准（通常为接地）。未使用的输入端必须连接至VDD、VSS或其他输入端。

• 完全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数额定值
• 标准的对称输出特性
• 指定温度范围：40 ℃至+125 ℃
• 符合JEDEC标准JESD 13-B号规定

• 移位寄存器
• 缓冲/存储寄存器
• 模式发生器

• PMEG2010EH_EJ_ET - 1 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• BAW56M - 高速开关二极管
• PBSS4440D - 40 V NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• PMBTA13; PMBTA14 - NPN达林顿晶体管
• SC16C2550BIBS - 5 V、3.3 V和2.5 V的双通道UART，5 Mbit/s（最快），带有16字节FIFO
• BUK9Y11-80E - N沟道80 V，11 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• BUK9Y59-60E - N-channel 60 V, 59 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• 74LVC1G157GM - 单路2输入多路复用器
• 74AHCT1G86GV - 2输入异或门
• PZU7.5B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管