350 W LDMOS RF功率晶体管，用于广播发射器应用和工业应用。此器件极佳的强度使其成为数字和模拟发射器应用的理想选择。

• 极佳的强度
• 最佳热性能和可靠性，Rth(j-c) = 0.22 K/W
• 高功率增益
• 高效率
• 主要用于宽带操作（470 MHz至860 MHz）
• 内部输入匹配实现高增益和最佳宽带操作
• 极佳的可靠性
• 方便的功率控制
• 符合RoHS的Directive 2002/95/EC

• UHF频段内的通信发射器应用
• UHF频段内的工业应用

• 74ALVCH16374DGG - 2.5 V/3.3 V 16位边沿触发D型触发器（三态）
• PZU6.8B2A - 单倍齐纳二极管
• 74HC(T)390 - 双路十进制纹波计数器
• 74HC374D - 八频D型触发器；正沿触发器（三态）
• BUK9K35-60E - 双N沟道60 V，35 mΩ逻辑电平MOSFET
• SA616 - Low-voltage high performance mixer FM IF system
• 74AUP1G57GX - Low-power configurable multiple function gate
• PDTC143ZMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 47 kΩ
• TDA8566TH - 具有差分输入和诊断输出的2 x 40 W/2 ohm立体声BTL汽车收音机功率放大器
• BLF578XRS - 功率LDMOS晶体管