74VHC595；74VHCT595是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL针脚兼容。该类器件的规格符合JEDEC标准No. 7A。

74VHC595；74VHCT595是带存储寄存器和3态输出的8级串行移位寄存器。这类寄存器具有单独的时钟。

数据在移位寄存器时钟输入(SHCP)正向跃迁时移位。每个寄存器中的数据都在存储寄存器时钟输入(STCP)正向跃迁时被传输到存储寄存器。如果两个时钟连在一起，则移位寄存器将总是比存储寄存器超前一个时钟脉冲。

移位寄存器具有用于级联的一个串行输入(DS)和一个串行标准输出(Q7S)。该器件还针对所有8个移位寄存器级提供异步复位（低电平有效）。该存储寄存器具有8个平行3态总线驱动器输出。输出使能输入(OE)为低电平时，存储寄存器中的数据会出现在输出处。

• 平衡传播延迟
• 所有输入都具有施密特触发动作
• 输入接受高于VCC的电压
• 输入电平：
  • 74VHC595采用CMOS输入电平工作
  • 74VHCT595采用TTL输入电平工作
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 串行到并行数据转换
• 遥控保持寄存器

• 74HCT1G00GW - 2输入与非门
• BZV85-C11 - 稳压器二极管
• 74AHCT1G04GM - Inverter
• PSMN3R5-30YL - N沟道30 V 3.5 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装
• PZU3.3B1A - 单倍齐纳二极管
• 74CBTLVD3861BQ - 10位电平转换总线开关，具有输出使能
• 74AXP1G11 - Low-power 3-input AND gate
• BZX84J-B4V7 - 单倍齐纳二极管
• BZX84J-C6V8 - 单倍齐纳二极管
• BAT85 - 单倍肖特基势垒二极管