
HEF4014B技术文档下载:
HEF4014B产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- S912ZVH64F2VLQ - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- SPC5604BF2VLL6 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- MC33889BPEGR2 - 28-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
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- PCA9514D,112 - 集成电路(IC) > 接口 > 信号缓冲器、中继器、分离器
- PDTD123ET,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- MK20DX128VLQ10 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74HC4016D,653 - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器



HEF4014B - 8位静态移位寄存器
HEF4014B是NXP恩智浦公司的一款移位寄存器产品,HEF4014B是8位静态移位寄存器 ,本站介绍了HEF4014B的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与HEF4014B相关的NXP元器件型号供参考。
HEF4014B - 8位静态移位寄存器 - 移位寄存器 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
HEF4014B是完全同步的边沿触发8位静态移位寄存器,具有八个同步并行输入(D0至D7)、一个同步串行数据输入(DS)、一个同步并行使能输入(PE)、一个低电平至高电平边沿触发时钟输入(CP)以及来自最后三级(Q5至Q7)的缓冲并行输出。
CP从低电平跃迁至高电平时,操作为同步且该器件处于边沿触发状态。每个寄存器级都属于D型主从触发器类型。PE为高电平时,数据会在CP从低电平跃迁至高电平时从D0加载到D7寄存器。PE为低电平时,数据会从DS移位到第一个寄存器位置,且寄存器中的所有数据在CP从低电平跃迁至高电平时都会右移一个位置。时钟输入的施密特触发器动作使其高度容许较慢的时钟上升和下降时间。
其工作电压为建议的3 V至15 V的VDD电源电压,以VSS(通常为地)为参考。未使用的输入必须连接到VDD、VSS或另一个输入。其还适用于整个工业(-40°C至+85°C)温度范围。
产品特性和优势
- 容许缓慢的时钟上升和下降时间
- 全静态操作
- 5 V、10 V和15 V参数额定值
- 标准化对称输出特性
- 在整个-40°C至+85°C的工业温度范围内工作
- 符合JEDEC标准JESD 13-B
产品应用
- 并行到串行转换器
- 串行数据队列
- 通用寄存器
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