NX3L1G3157是低电阻单刀双掷模拟开关，适合用作模拟或数字2:1多路复用器/多路解复用器。其具有一个数字选择输入，两个独立的输入/输出（Y0和Y1）和一个公用输入/输出(Z)。施密特触发器在数字输入处工作，这使得电路容许较慢的输入上升和下降时间。

NX3L1G3157允许具有高达VCC振幅的信号从Z传输到Y0或Y1；或从Y0或Y1传输到Z。其低导通电阻(0.5 Ω)和平坦度(0.13 Ω)确保传输的信号具有最小衰减和失真。

• 宽电源电压范围从1.4 V至4.3 V
• 极低的导通电阻：
  • VCC = 1.4 V时为1.6 Ω（典型值）
  • VCC = 1.65 V时为1.0 Ω（典型值）
  • VCC = 2.3 V时为0.55 Ω（典型值）
  • VCC = 2.7 V时为0.50Ω（典型值）
  • VCC = 4.3 V时为0.50 Ω（典型值）
• 先断后通切换
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过7500 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
  • 开关端口的IEC61000-4-2接触放电超过8000 V
• 低功耗CMOS
• 闭锁性能超过JESD78 II类A级规定的100 mA
• 3.0 V TTL电平的直接接口
• 控制输入接受高于电源电压的电压
• 高电流处理能力（3.3 V供电时有350 mA的连续电流）
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 手机
• PDA
• 便携式媒体播放器

• BLM7G1822S-40PB - LDMOS 2级功率MMIC
• SA606 - Low-voltage high performance mixer FM IF system
• BZV55-B16 - 稳压器二极管
• BC846W - 65 V，100 mA NPN通用晶体管
• PSMN020-100YS - N沟道100 V 20.5m?标准电平MOSFET，采用LFPAK封装
• CBT16211DL - 24位总线开关，具有12位输出使能
• PQMB11 - PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1?=?10?k?,?R2?=?10?k?
• 74AUP2G241GT - 低功耗双路缓冲器/线路驱动器；3态
• 74LVC541APW - 八位元缓冲器/线路驱动器，带5 V容压输入/输出；3态
• 74AUP1G374 - 低功耗D型触发器；正沿触发器（三态）