
BUK9Y3R5-40E技术文档下载:
BUK9Y3R5-40E产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- SPC5605BK0VLQ6R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TEA1892ATS/1Z - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源控制器,监视器
- LS1084AXE7Q1A - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- TDA18292HN/C1,157 - 集成电路(IC) > 线性 > 视频处理
- TDF8546AJS/N1ZS - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- MC68HC908JL8CFA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC908GZ60VFJE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TDF8541JS/N2,512 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器



BUK9Y3R5-40E - N沟道40 V,3.8 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装
BUK9Y3R5-40E是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品,BUK9Y3R5-40E是N沟道40 V,3.8 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装,本站介绍了BUK9Y3R5-40E的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BUK9Y3R5-40E相关的NXP元器件型号供参考。
BUK9Y3R5-40E - N沟道40 V,3.8 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装 - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平N沟道MOSFET,采用LFPAK56 (Power SO8)封装,使用TrenchMOS技术。该产品设计符合AEC?Q101标准,适用于高性能汽车电子应用。
产品特性和优势
- 符合Q101标准
- 重复雪崩耐受
- 额定温度为175?°C,适用于对热性能要求苛刻的环境
- 真正的逻辑电平栅极,175?°C时VGS(th)额定值大于0.5?V
产品应用
- 12 V汽车系统
- 马达、灯具和螺线管控制
- 变速箱控制
- 超高性能电源开关
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