
BUK9Y15-100E技术文档下载:
BUK9Y15-100E产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- PDTC144VU,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- NCF2960VHN/T0B040J - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- MCZ33903C5EKR2 - 集成电路(IC) > 专用 IC
- 74HCT166D,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
- S9S12ZVL32F0CLFR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TEA1533T/N1,118 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > AC DC 转换器,离线开关
- PEMI2QFN/HR,115 - 滤波器 > EMI/RFI 滤波器(LC,RC 网络)
- MCF52231CAF60 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- SC16C850LIET,157 - 集成电路(IC) > 接口 > UART(通用异步接收器发送器)
- MIMX8MQ6CVAHZAB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器



BUK9Y15-100E - N沟道100 V,15 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装
BUK9Y15-100E是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品,BUK9Y15-100E是N沟道100 V,15 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装,本站介绍了BUK9Y15-100E的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BUK9Y15-100E相关的NXP元器件型号供参考。
BUK9Y15-100E - N沟道100 V,15 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装 - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平N沟道MOSFET,采用LFPAK56 (Power SO8)封装,使用TrenchMOS技术。该产品设计符合AEC Q101标准,适用于高性能汽车电子应用。
产品特性和优势
- 符合Q101标准
- 重复雪崩耐受
- 额定温度为175 °C,适用于对热性能要求苛刻的环境
- 真正的逻辑电平栅极,175 °C时VGS(th)额定值大于0.5 V
产品应用
- 12 V、24 V和48 V汽车系统
- 马达、灯具和螺线管控制
- 传动控制
- 超高性能电源开关
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