74AUP2G17提供两个施密特触发缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• NX3L2267 - 低电阻双单刀双掷模拟开关
• MF1SPLUS8031DA4 - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• 74HC423D - 双可再触发单稳态多谐振荡器，带重置
• PEMH10; PUMH10 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• A7005CAHN1 - 安全验证微控制器
• BZV85-C15 - 稳压器二极管
• PCA6408ABS - 带有中断输出、复位和配置寄存器的低电压、8位I2C总线和SMBus I/O扩展器
• 74LVCU04A - 六位元反相器
• TFF11152HN - 低相位噪声本振发生器
• BUK753R8-80E - N沟道TrenchMOS标准电平FET