74AUP2G17提供两个施密特触发缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK761R6-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74LVC14A - 十六进制反相施密特触发器，带5 V容压输入
• 74HC(T)2G04 - 双路反相器
• BLF7G20L(S)-90P - 功率LDMOS晶体管
• PDZ36B - 稳压器二极管
• PCA9515D - I2C总线转发器
• NT2H1311F0DTL - NFC Forum Type 2 Tag compliant IC with 144 bytes user memory and field detection
• PDTA113E series - PNP配电阻晶体管；R1 = 1 kOhm，R2 = 1 kOhm
• 74AHC594BQ - 8位移位寄存器，带输出寄存器
• PEMH4; PUMH4 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kOhm，R2 = 开路