
BUK9K6R8-40E技术文档下载:
BUK9K6R8-40E产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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BUK9K6R8-40E - 双N沟道40 V,7.2 m?逻辑电平MOSFET
BUK9K6R8-40E是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品,BUK9K6R8-40E是双N沟道40 V,7.2 m?逻辑电平MOSFET,本站介绍了BUK9K6R8-40E的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BUK9K6R8-40E相关的NXP元器件型号供参考。
BUK9K6R8-40E - 双N沟道40 V,7.2 m?逻辑电平MOSFET - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
双逻辑电平N沟道MOSFET,采用LFPAK56D(双Power-SO8)封装,使用TrenchMOS技术。该产品设计符合AEC Q101标准,适用于高性能汽车电子应用。
产品特性和优势
- 双MOSFET
- 符合Q101标准
- 重复雪崩耐受
- 额定温度为175 °C,适用于对热性能要求苛刻的环境
- 真正的逻辑电平栅极,175?°C时VGS(th)额定值大于0.5?V
产品应用
- 12 V汽车系统
- 马达、灯具和螺线管控制
- 变速器控制
- 超高性能功率切换
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