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BLP8G10S-45P(G) - 功率LDMOS晶体管
BLP8G10S-45P(G)是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品，BLP8G10S-45P(G)是功率LDMOS晶体管，本站介绍了BLP8G10S-45P(G)的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLP8G10S-45P(G)相关的NXP元器件型号供参考。
BLP8G10S-45P(G) - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
BLP8G10S-45P和BLP8G10S-45PG是双路径45 W LDMOS功率晶体管，适合700 MHz 至1000 MHz频率的基站应用。
产品特性和优势
- 高效率
- 出色的耐用性
- 设计用于宽带操作（700 MHz至1000 MHz）
- 极佳的热稳定性
- 高功率增益
- 集成式ESD保护
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- W-CDMA
- LTE
- GSM
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