74LVC1G38提供一个2输入与非功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将该器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 开漏输出
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+125 °C

• PMG85XP - 20 V，2 A P沟道Trench MOSFET
• PMV50UPE - 20 V，单P沟道Trench MOSFET
• 74CBTLVD3384BQ - 10位电平转换总线开关，具有5位输出使能
• 74AUP3G3404 - 低功耗双路缓冲器和单路反相器
• 74HCT30PW - 8输入与非门
• BAT960 - 肖特基势垒二极管
• BZV55-C2V4 - 稳压器二极管
• TEA171x - 集成DCM/QR PFC控制器的通过高压启动的谐振LLC控制器
• PSMN016-100BS - N沟道100 V 16 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• 74LVC3G34GS - 三路缓冲器