74LVC1G38提供一个2输入与非功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将该器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 开漏输出
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+125 °C

• PBSS4130T - 30 V、1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• PESD1CAN - CAN总线ESD保护二极管
• 74HC4024 - 7级二进制纹波计数器
• MFRC523 - 标准3V ISO/IEC 14443 A/B读卡器解决方案
• 74HC(T)3G14 - 三路反相施密特触发器
• 74HCT164PW - 8位串行输入并行输出移位寄存器
• PDTC143/114/124/144EQA series - 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors
• BLF6G38LS-100 - WiMAX功率LDMOS晶体管
• PBSM5240PFH - 40 V，2 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管，具有N沟道Trench MOSFET
• X3T-OH047 - 磁阻传感器