
BLF8G27LS-100V技术文档下载:
BLF8G27LS-100V产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- 74HC164PW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
- PSMN2R7-30PL,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- MPC8343EZQADD - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MIMXRT1015CAF4B - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LPC5526JBD64E - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC56F8122VFAE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PEMH4,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
- PBLS2001D,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
- PCA9955BTWJ - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > LED 驱动器
- MW5IC970GNBR1 - 射频和无线 > 射频放大器
- TDF8548ATH/N1ZU - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- PDTA115ES,126 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- PCAL6416AEX1Z - 集成电路(IC) > 接口 > I/O 扩展器
- NCF3340AHN/003Y - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- PCAL6524EV-ARD - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 扩展板,子卡
- PMR280UN,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- S9KEAZN8AVTG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPC603RZT200LC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MFS2323BMBA5EP - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- TJA1442BTK/0Z - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器



BLF8G27LS-100V - 功率LDMOS晶体管
BLF8G27LS-100V是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF8G27LS-100V是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF8G27LS-100V的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF8G27LS-100V相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G27LS-100V - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
100 W LDMOS功率晶体管,具有改进的视频带宽,适合2500 MHz至2700 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低Rth,提供极佳的热稳定性
- 去耦引线,可改进视频带宽(典型值:110 MHz)
- 设计用于宽带操作(2500 MHz至2700 MHz)
- 更低的输出电容,可增强Doherty应用中的性能
- 针对低内存占用量设计,提供出色的预失真性能
- 内部匹配,便于使用
- 集成式ESD保护
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适用于基站的RF功率放大器
- 2500 MHz至2700 MHz频率范围内的多载波应用
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- PDTA115TT - PNP配电阻晶体管;R1 = 100 kOhm,R2 = 开路


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