
BLF8G27LS-100技术文档下载:
BLF8G27LS-100产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- TJA1054T/N1,512 - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- TJA1021T/20/CM,118 - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- MPC8572LVTAULD - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MC9S08RC16CFJE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MRF8P8300HR6 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- PMV65UN,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET



BLF8G27LS-100 - LDMOS功率晶体管
BLF8G27LS-100是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF8G27LS-100是LDMOS功率晶体管,本站介绍了BLF8G27LS-100的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF8G27LS-100相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G27LS-100 - LDMOS功率晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
视频带宽改善型100 W LDMOS功率晶体管,适用于2500 MHz至2700 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 出色的耐用性
- 高效
- 低热阻,提供极佳的热稳定性
- 专为宽带应用设计(2500 MHz至2700 MHz)
- 更低的输出电容提升了Doherty应用的性能
- 专为低内存占用量设计,提供极佳的预失真性能
- 内部匹配,便于使用
- 集成ESD保护
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- RF功率放大器,适合于2500 MHz至2700 MHz频率范围内的基站和多载波应用
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