74AUP1Z125结合了74AUP1GU04和74AUP1G125的功能以及使能电路和内部偏置电阻，提供最适合晶体振荡器应用的器件。

不使用时，可将EN输入驱动为高电平，从而拉高X1输入并将该器件置于低功耗禁用模式。EN输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC 范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全针对在输出Y处使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

74AUP1Z125因集成了这两个器件而在各种频率和温度范围内形成尺寸紧凑、功耗低和操作稳定的优势。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路在输出Y处提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PDTA143XT - PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 10 kΩ
• 74VHCT14BQ - 十六进制反相施密特触发器
• TL431BMFDT - 可调精度并联稳压器
• 74LV138PW - 3至8线路解码器/解复用器；反相
• SSL523x - 紧凑型高功率因素可调光LED驱动器IC (v1)
• BLF8G22LS-270GV - 功率LDMOS晶体管
• 74AUP1G74GS - 带设置和复位功能的低功耗D型触发器；正沿触发器
• PESD5V0F1BL - 毫微微法拉级(Femtofarad)双向ESD保护二极管
• PSMN2R8-40BS - N沟道40 V 2.9 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• BUK9E08-55B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET