74AUP1Z125结合了74AUP1GU04和74AUP1G125的功能以及使能电路和内部偏置电阻，提供最适合晶体振荡器应用的器件。

不使用时，可将EN输入驱动为高电平，从而拉高X1输入并将该器件置于低功耗禁用模式。EN输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC 范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全针对在输出Y处使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

74AUP1Z125因集成了这两个器件而在各种频率和温度范围内形成尺寸紧凑、功耗低和操作稳定的优势。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路在输出Y处提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PDTC114EM - NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 10 kΩ
• 74HC02DB - 四路2输入或非门
• 74AHCT2G241GD - 双路缓冲器/线路驱动器；3态
• 74HCT04BQ - 六位元反相器
• CBT16212DL - 24位总线交换开关，具有12位输出使能
• BUK7611-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74AHCT1G17GF - 单频施密特触发缓冲器
• TDA8953TH - 2 x 210 W D类功率放大器
• PEMH4 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kOhm，R2 = 开路
• NX7002BKS - 60 V, dual N-channel Trench MOSFET