
BLF8G24LS-200P技术文档下载:
BLF8G24LS-200P产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- MC68HC908JK3ECDW - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LPC3131FET180,551 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- FS32K144MST0MLHR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PBRP123ET,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- PCA9554BPWJ - 集成电路(IC) > 接口 > I/O 扩展器
- 74ALVCH16540DL,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MC908GR60ACFUE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MK61FX512VMD15 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PSMN4R5-40PS,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- T4161NXN7PQB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PCA9555D,112 - 集成电路(IC) > 接口 > I/O 扩展器
- N74F132D,623 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- MC35FS6512CAER2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- PCK2111BD,128 - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟缓冲器,驱动器
- CGD1044H,112 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 视频放大器和模块
- MMRF1314HSR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- CBTD16212DL,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
- LPC11U24FET48/301 - 嵌入式 - 微控制器
- MKL26Z256VLL4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MRF6S21190HR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET



BLF8G24LS-200P - 功率LDMOS晶体管
BLF8G24LS-200P是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF8G24LS-200P是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF8G24LS-200P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF8G24LS-200P相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G24LS-200P - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管,适用于2300 MHz至2400 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 极佳的强度
- 高效率
- 低Rth提供极佳的热稳定性
- 主要用于宽带操作(2300 MHz至2400 MHz)
- 更低的输出电容提升了Doherty应用的性能
- 主要用于降低记忆效应以提供极佳预失真能力
- 内部匹配以方便使用
- 集成ESD保护
- 符合有害物质限制(RoHS) Directive 2002/95/EC
产品应用
- 基站RF功率放大器
- 2300 MHz 至2400 MHz频率范围内的多载波应用
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