
BLF8G24LS-200P技术文档下载:
BLF8G24LS-200P产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- S912ZVLA64AVFM - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- AFSC5G35E37T2 - 射频和无线 > 射频放大器
- 74HCT193D,653 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 计数器,除法器
- PCA9500PW,118 - 集成电路(IC) > 接口 > I/O 扩展器
- MPXAZ4100A6T1 - 传感器,变送器 > 压力传感器、变送器
- BZX84-C3V3/LF1R - 二极管 - 齐纳 - 单
- SA616DK/03,118 - 射频和无线 > 射频混频器
- MCF51AC128CVFUE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPC8548EVTAVHB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- LPC54102J512BD64QL - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LPC5536JBD64MP - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



BLF8G24LS-200P - 功率LDMOS晶体管
BLF8G24LS-200P是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF8G24LS-200P是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF8G24LS-200P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF8G24LS-200P相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G24LS-200P - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管,适用于2300 MHz至2400 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 极佳的强度
- 高效率
- 低Rth提供极佳的热稳定性
- 主要用于宽带操作(2300 MHz至2400 MHz)
- 更低的输出电容提升了Doherty应用的性能
- 主要用于降低记忆效应以提供极佳预失真能力
- 内部匹配以方便使用
- 集成ESD保护
- 符合有害物质限制(RoHS) Directive 2002/95/EC
产品应用
- 基站RF功率放大器
- 2300 MHz 至2400 MHz频率范围内的多载波应用
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