
BLF8G24LS-200P技术文档下载:
BLF8G24LS-200P产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC34PF8101A0TS - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- BZX284-C2V7,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MIMX9301DVVXDAC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MK20DX64VLH7 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PCA9671DK,118 - 集成电路(IC) > 接口 > I/O 扩展器
- PCA9685PW/Q900,118 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > LED 驱动器
- PZM13NB2A,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- PSMN011-30YL,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- P82B715TD,112 - 集成电路(IC) > 接口 > 信号缓冲器、中继器、分离器
- NTS0304EPWJ - 集成电路(IC) > 逻辑 > 专用逻辑器件
- PESD12VS2UAT,215 - 电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- PMEG4005EJ,115 - 未分类 > 未分类
- BFQ67,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
- 74HCT126PW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- 74HC244D,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- TEF6614T/V1,512 - 射频和无线 > 射频接收器
- P80C32X2FN,112 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BUK9E15-60E,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 74HC139D,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器



BLF8G24LS-200P - 功率LDMOS晶体管
BLF8G24LS-200P是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF8G24LS-200P是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF8G24LS-200P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF8G24LS-200P相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G24LS-200P - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管,适用于2300 MHz至2400 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 极佳的强度
- 高效率
- 低Rth提供极佳的热稳定性
- 主要用于宽带操作(2300 MHz至2400 MHz)
- 更低的输出电容提升了Doherty应用的性能
- 主要用于降低记忆效应以提供极佳预失真能力
- 内部匹配以方便使用
- 集成ESD保护
- 符合有害物质限制(RoHS) Directive 2002/95/EC
产品应用
- 基站RF功率放大器
- 2300 MHz 至2400 MHz频率范围内的多载波应用
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