74AUP2G0604是带开漏输出和单路反相器的单路反相缓冲器。该器件具有两个输入针脚(nA)、一个输出针脚(2Y)和一个开漏输出针脚(1Y)。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PDTA113ZMB - PNP配电阻晶体管；R1 = 1 kΩ，R2 = 10 kΩ
• PCA8530DUG - 车载102 x 4覆晶玻璃LCD段码驱动器
• BUK762R6-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BZX884-B24 - 稳压器二极管
• 74LVT244ADB - 3.3 V八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• PZU3.9BL - 单倍齐纳二极管
• PHK13N03LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74AUP2G38GS - 低功耗双路2输入与非门；开漏
• BUK9512-55B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74AUP1G374GF - 低功耗D型触发器；正沿触发器（三态）