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BLF8G22LS-205V技术文档下载：
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BLF8G22LS-205V - Power LDMOS transistor
BLF8G22LS-205V是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品，BLF8G22LS-205V是Power LDMOS transistor，本站介绍了BLF8G22LS-205V的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLF8G22LS-205V相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G22LS-205V - Power LDMOS transistor - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
205 W LDMOS power transistor with improved video bandwidth for base station applicationsat frequencies from 2100 MHz to 2200 MHz.
产品特性和优势
- Excellent ruggedness
- High efficiency
- Low thermal resistance providing excellent thermal stability
- Designed for broadband operation
- Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
- Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability
- Internally matched for ease of use
- Integrated ESD protection
- Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
产品应用
- RF power amplifiers for base stations and multi carrier applications in the 2100MHz to 2200 MHz frequency range
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