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BLF8G19LS-170BV技术文档下载：
BLF8G19LS-170BV产品应用图解：
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- MRF8S21120HSR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- P89LPC904FN,129 - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- TRK-KEA64 - 评估板 - 嵌入式 - MCU，DSP
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- PPC8306CVMADDCA - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
- MC908KX2CPE - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVC08AD,118 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 门和反相器
- 74LVC1284DB,112 - 集成电路（IC） > 接口 > 驱动器，接收器，收发器
- SC16C650BIB48,157 - 集成电路（IC） > 接口 > UART（通用异步接收器发送器）
BLF8G19LS-170BV - 功率LDMOS晶体管
BLF8G19LS-170BV是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品，BLF8G19LS-170BV是功率LDMOS晶体管，本站介绍了BLF8G19LS-170BV的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLF8G19LS-170BV相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G19LS-170BV - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
170 W LDMOS功率晶体管，具有改进的视频带宽，适合1800 MHz至1990 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低Rth，提供极佳的热稳定性
- 去耦引线，可改进视频带宽（典型值：100 MHz）
- 更低的输出电容，可增强Doherty应用中的性能
- 针对低内存占用量设计，提供出色的预失真性能
- 内部匹配，便于使用
- 集成式ESD保护
- 集成式电流感测
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适用于W-CDMA基站的RF功率放大器
- 1800 MHz至1990 MHz频率范围内的多载波应用
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