74LVC1G53是低功耗低电压的高速硅栅CMOS器件。

74LVC1G53提供一个模拟多路复用器/解复用器，带一个数字选择输入(S)、两个独立输入/输出（Y0，y1）、一个公共输入/输出(Z)和一个低电平有效使能输入(E)。针脚E为高电平时，开关关闭。

选择输入和使能输入处的施密特触发器动作使电路容许整个1.65 V至5.5 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • VCC = 2.7 V时，7.5 ?（典型值）
  • VCC = 3.3 V时，6.5 ?（典型值）
  • VCC = 5 V时，6 ?（典型值）
• 32 mA的开关电流能力
• 高抗噪性
• CMOS低功耗
• 3.3 V时的接口兼容性
• 闭锁性能满足JESD 78 I类的要求
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 控制输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PEMH15; PUMH15 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• 74HC174D - 带复位功能的六频D型触发器；正沿触发器
• BC55-10PA - 60 V，1 A NPN中等功率晶体管
• PSMN017-30EL - N沟道30 V 17 m?逻辑电平MOSFET，采用I2PAK封装
• PSMN9R5-30YLC - N沟道30 V 9.8 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• BCV28 - PNP达林顿晶体管
• PSMN2R0-60PS - N沟道60 V 2.2 mΩ标准电平MOSFET，采用TO-220封装
• BC817DPN - NPN/PNP通用晶体管
• BLL8H1214L-250 - LDMOS L-band radar power transistor
• PCA9530DP - 2位I2C总线LED调光器