
BLF8G09LS-270W技术文档下载:
BLF8G09LS-270W产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MCF5307AI66B - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MRF6VP21KHR6 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- LPC54616J512ET100E - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LS1022ASE7EKB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74HC540D,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MC68302AG16C - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PX1011AI-EL1/G,557 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- SPC5675KFF0MMM2R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC9S12DG256MPVE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC68711E20CFNE2 - 嵌入式 - 微控制器
- MPC8536BVJANGA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MKE06Z64VLK4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVC373ADB,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
- RDK-S32R274 - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 嵌入式 MCU、DSP 评估板
- PMBFJ110,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > JFET
- 74LVT273DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- MRF7S21210HR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- MRF6VP3091NR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- S9S12VR48AF0VLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



BLF8G09LS-270W - 功率LDMOS晶体管
BLF8G09LS-270W是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF8G09LS-270W是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF8G09LS-270W的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF8G09LS-270W相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G09LS-270W - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
270 W LDMOS功率晶体管,具有改进的视频带宽,适合716 MHz至960 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 出色的耐用性
- 器件可以通过视频引线提供的电源电流进行操作
- 高效率
- 低热阻,提供极佳的热稳定性
- 设计用于宽带操作(716 MHz至960 MHz)
- 更低的输出电容,可增强Doherty应用中的性能
- 去耦引线,可改进视频带宽(典型值:55 MHz)
- 针对低内存占用量设计,提供出色的预失真性能
- 内部匹配,便于使用
- 集成式ESD保护
- 最适合鸥翼式版和直引脚版的设计
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
适合716 MHz至960 MHz频率范围内W-CDMA基站和多载波应用的RF功率放大器
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