
BUK9K35-60E技术文档下载:
BUK9K35-60E产品应用图解:

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- MRF300A-40MHZ - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 射频评估和开发套件,板
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- 74HC4052D/AUJ - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器
- LD6806CX4/23P,315 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- 74LV4051N,112 - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器
- 74LVT08PW,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- S9S12D64F0CFUE - 嵌入式 - 微控制器
- PSMN005-75B,118 - 未分类 > 未分类
- MC68LK332GCEH16 - 嵌入式 - 微控制器
- P1025NSE5BFB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- OM7619/BGA2003 - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 射频评估和开发套件,板
- P87C51RC2BN,112 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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BUK9K35-60E - 双N沟道60 V,35 mΩ逻辑电平MOSFET
BUK9K35-60E是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品,BUK9K35-60E是双N沟道60 V,35 mΩ逻辑电平MOSFET,本站介绍了BUK9K35-60E的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BUK9K35-60E相关的NXP元器件型号供参考。
BUK9K35-60E - 双N沟道60 V,35 mΩ逻辑电平MOSFET - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
双逻辑电平N沟道MOSFET,采用LFPAK56D(双Power-SO8)封装,使用TrenchMOS技术。该产品设计符合AEC Q101标准,适用于高性能汽车电子应用。
产品特性和优势
- 双MOSFET
- 符合Q101标准
- 重复雪崩耐受
- 额定温度为175 °C,适用于对热性能要求苛刻的环境
- 真正的逻辑电平栅极,175?°C时VGS(th)额定值大于0.5?V
产品应用
- 12 V汽车系统
- 马达、灯具和螺线管控制
- 变速箱控制
- 超高性能电源开关
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