
BLF7G22L(S)-200技术文档下载:
BLF7G22L(S)-200产品应用图解:


NXP恩智浦芯片:
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- MC68HLC908QY4CDW - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- NCF2960VHN/T0B040J - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- MPC8343ECVRAGDB - 嵌入式 - 微处理器
- 74HC4094D/AUJ - 集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
- PTN3380BBS,518 - 集成电路(IC) > 线性 > 视频处理
- 74HC4016D,653 - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器
- P87C52UBAA,512 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PMSTA05,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管



BLF7G22L(S)-200 - LDMOS功率晶体管
BLF7G22L(S)-200是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF7G22L(S)-200是LDMOS功率晶体管,本站介绍了BLF7G22L(S)-200的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF7G22L(S)-200相关的NXP元器件型号供参考。
BLF7G22L(S)-200 - LDMOS功率晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管,适用于2110 MHz至2170 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 出色的耐用性
- 低Rth提供极佳的热稳定性
- 高效
- 内部匹配,便于使用
- 集成ESD保护
- 专为低内存占用量设计,提供极佳的预失真性能
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制指令
产品应用
- 适用于W-CDMA基站的RF功率放大器
- 2110 MHz 至2170 MHz频率范围内的多载波应用
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