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BLF6G10L-260PRN产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MRF1K50GNR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
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- BFG325W/XR,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管



BLF6G10L-260PRN - 功率LDMOS晶体管
BLF6G10L-260PRN是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF6G10L-260PRN是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF6G10L-260PRN的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF6G10L-260PRN相关的NXP元器件型号供参考。
BLF6G10L-260PRN - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
260 W LDMOS功率晶体管,适用于700 MHz至1000 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 方便的功率控制
- 集成ESD保护
- 极佳的强度
- 高效率
- 极佳的热稳定性
- 主要用于宽带操作(700 MHz至1000 MHz)
- 内部匹配以方便使用
- 符合有害物质限制(RoHS) Directive 2002/95/EC
产品应用
- GSM、GSM EDGE、W-CDMA和CDMA基站RF功率放大器
- 700 MHz 至1000 MHz频率范围内的多载波应用
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