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BLA8G1011LS-300技术文档下载：
BLA8G1011LS-300产品应用图解：
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- PBSS302PD,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- PMV170UN,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- MPC563CVR40-FR - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- PZM3.9NB1,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- S32K358GHT1MPCST - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- 74AUP1T57GF,132 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 转换器，电平移位器
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- MPC8349EVVALFB - 嵌入式 - 微处理器
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BLA8G1011LS-300 - Power LDMOS transistor
BLA8G1011LS-300是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品，BLA8G1011LS-300是Power LDMOS transistor，本站介绍了BLA8G1011LS-300的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLA8G1011LS-300相关的NXP元器件型号供参考。
BLA8G1011LS-300 - Power LDMOS transistor - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
300 W LDMOS power transistor for avionics applications at frequencies from 1030 MHz to1090 MHz.
产品特性和优势
- Easy power control
- Integrated ESD protection
- Enhanced ruggedness
- High efficiency
- Excellent thermal stability
- Designed for broadband operation (1030 MHz to 1090 MHz)
- Internally matched for ease of use
- Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
产品应用
- Avionics transmitter applications in the 1030 MHz to 1090 MHz frequency range
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