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BLA8G1011L-300产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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BLA8G1011L-300 - Power LDMOS transistor
BLA8G1011L-300是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLA8G1011L-300是Power LDMOS transistor,本站介绍了BLA8G1011L-300的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLA8G1011L-300相关的NXP元器件型号供参考。
BLA8G1011L-300 - Power LDMOS transistor - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
300 W LDMOS power transistor for avionics applications at frequencies from 1030 MHz to1090 MHz.
产品特性和优势
- Easy power control
- Integrated ESD protection
- Enhanced ruggedness
- High efficiency
- Excellent thermal stability
- Designed for broadband operation (1030 MHz to 1090 MHz)
- Internally matched for ease of use
- Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
产品应用
- Avionics transmitter applications in the 1030 MHz to 1090 MHz frequency range
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