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BLA6G1011L-200RG产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- KIT34704BEPEVBE - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > DC/DC 和 AC/DC(离线)SMPS 评估板
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- PDTC143XS,126 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管



BLA6G1011L-200RG - 功率LDMOS晶体管
BLA6G1011L-200RG是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLA6G1011L-200RG是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLA6G1011L-200RG的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLA6G1011L-200RG相关的NXP元器件型号供参考。
BLA6G1011L-200RG - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管,用于1030 MHz至1090 MHz频率范围的航空电子应用。
产品特性和优势
- 方便的功率控制
- 集成ESD保护
- 增强的强度
- 高效率
- 极佳的热稳定性
- 主要用于宽带操作(1030 MHz至1090 MHz)
- 内部匹配以方便使用
- 符合有害物质限制的Directive 2002/95/EC
产品应用
- 1030 MHz至1090 MHz频率范围内的航空电子发射器应用
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