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- MC9S08AC48MPUE - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- T4241NXN7QTB - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
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- MCIMX6G2AVM05AA - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
- SPC5746GK1MKU6R - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- SPC5644AF0MMG3 - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- MK22FN512VLH12R - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- 74HC640DB,118 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
- TDA8950J/N1,112 - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 音频放大器
BFU768F - NPN宽频带硅锗RF晶体管
BFU768F是NXP恩智浦公司的一款RF宽带晶体管产品，BFU768F是NPN宽频带硅锗RF晶体管，本站介绍了BFU768F的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BFU768F相关的NXP元器件型号供参考。
BFU768F - NPN宽频带硅锗RF晶体管 - RF宽带晶体管 - 晶体管 - 恩智浦
产品描述
NPN硅锗微波晶体管，适合高速、低噪声应用，采用4针双射极SOT343F塑料封装。
产品特性和优势
- 低噪声高线性度RF晶体管
- 110 GHz fT硅锗技术
- 可实现低电流和高增益的最佳线性度
- 低最小噪声系数：0.50 dB（2.4 GHz时）和0.74 dB（5.8 GHz时）
- 适合2.4 GHz ISM频段和4.9 GHz至5.9 GHz U-NII频段的低元器件数Wi-Fi LNA应用电路，具有优化的RF性能：
- 低电流：10.8 mA
- 噪声系数：< 1.2 dB
- 增益：13.1 dB（2.4 GHz时），12.2 dB（5 GHz时）
- 高IP3：15.7 dBm（2.4 GHz时），18.8 dBm（5 GHz时）
- 极快的开/关时间
- 无条件稳定
- 通过不同应用电路可实现的更高的IP3、更高的增益或更低的噪声系数
产品应用
- 高线性度应用
- 中等输出功率应用
- Wi-Fi / WLAN / WiMAX
- ZigBee
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