74LVC1GX04结合了74LVC1GU04和74LVC1G04的功能，可提供最适合晶体振荡器应用的器件。

74LVC1GX04集成了这两个器件，因此具有紧凑尺寸的优势。该器件提供宽频率和温度范围内的低功耗和稳定运行。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入和5 V过压容限掉电输出
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK9Y21-40E - N沟道40 V，21 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• BLA8G1011LS-300G - Power LDMOS transistor
• TDA7052A/AT - 具有直流音量控制的1 W BTL单声道音频放大器
• 74LVC2G14GV - 双路反相施密特触发器，带5 V容压输入
• NZX7V5A - 单倍齐纳二极管
• 74AUP1G3208GS - 低功耗3输入或与门
• BZX884-B36 - 稳压器二极管
• 74AUP2G17GF - 低功耗双路施密特触发器
• PMXB65ENE - 30 V，N沟道Trench MOSFET
• BZX79-C47 - 稳压器二极管