
BFU550X技术文档下载:
BFU550X产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- 74AHC1G04GV,125 - 未分类 > 未分类
- TDA8563Q/N2/S10,11 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- PZM4.7NB3,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- PSMN7R6-60PS,127 - 未分类 > 未分类
- MW4IC001NR4 - 射频和无线 > 射频放大器
- TEA1733BT/N2,118 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > AC DC 转换器,离线开关
- LS1018AXE7HNA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MC908GR16AMFJE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PCA8550DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
- 74LVC157ABQ,115 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器



BFU550X - NPN宽带硅RF晶体管
BFU550X是NXP恩智浦公司的一款LNA、混频器、倍频器、缓冲器产品,BFU550X是NPN宽带硅RF晶体管,本站介绍了BFU550X的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BFU550X相关的NXP元器件型号供参考。
BFU550X - NPN宽带硅RF晶体管 - LNA、混频器、倍频器、缓冲器 - RF双极性晶体管 - 恩智浦
产品描述
NPN硅RF晶体管可用于高速、低噪声应用,采用塑料4针脚双射极SOT143B封装。
BFU550X属于BFU5系列晶体管,适合小信号到高达2 GHz的中等功率应用。
产品特性和优势
- 低噪音、高击穿RF晶体管
- 符合AEC-Q101标准
- 900 MHz时最低噪声系数(NFmin) = 0.75 dB
- 900 MHz时最大稳定增益21.5 dB
- 11 GHz fT硅技术
产品应用
- 要求高电源电压和高击穿电压的应用
- 高达2 GHz的宽带放大器
- 针对ISM应用的低噪声放大器
- ISM频段振荡器
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