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74LVT573D产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- TDA1519/N2,112 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- 74LVCH32373AEC/G:5 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
- 74HCT1G08GW,165 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- TEA1532BT/N1/S35,1 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > PFC(功率因数校正)
- MRFG35010R1 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET



74LVT573D - 3.3 V八进制D型透明锁存器;3态
74LVT573D是NXP恩智浦公司的一款锁存产品,74LVT573D是3.3 V八进制D型透明锁存器;3态 ,本站介绍了74LVT573D的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74LVT573D相关的NXP元器件型号供参考。
74LVT573D - 3.3 V八进制D型透明锁存器;3态 - 锁存 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
74LVT573是高性能BiCMOS产品,设计用于3.3 V的VCC操作。该器件是八进制透明锁存器,耦合到八个3态输出缓冲器。该器件的这两个部分由锁存使能(LE)和输出使能(OE)控制门独立控制。74LVT573具有宽边针脚配置,可方便PC板布局并实现与微处理器的轻松接合。
锁存使能(LE)输入为高电平时,Dn输入上的数据会被传输到锁存输出。锁存器在LE为高电平时保持对数据输入的穿透,并存储使能从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间存出现的数据。
3态输出缓冲器设计用于驱动高负载3态总线、MOS存储器或MOS微处理器。每个低电平有效输出使能(OE)都控制独立于锁存器操作的所有八个3态缓冲器。
OE为低电平时,锁存或穿透数据出现在输出处。OE为高电平时,输出处于高阻抗“关断”状态,这意味着它们既不驱动也不加载总线。
产品特性和优势
- 输入和输出排列,可实现与微处理器的轻松接合
- 适用于总线接合的3态输出
- 一般输出使能控制
- TTL输入和输出切换电平
- 5 V电源系统的输入和输出接口能力
- 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
- 允许带电插拔
- 输出连接到5 V总线时无总线电流负载
- 上电重置
- 上电3态
- 闭锁保护
- JESD78 II类超过500 mA
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114E超过2000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- 额定温度范围为-40 °C至+85 °C
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