74LVT573是高性能BiCMOS产品，设计用于3.3 V的VCC操作。该器件是八进制透明锁存器，耦合到八个3态输出缓冲器。该器件的这两个部分由锁存使能(LE)和输出使能(OE)控制门独立控制。74LVT573具有宽边针脚配置，可方便PC板布局并实现与微处理器的轻松接合。

锁存使能(LE)输入为高电平时，Dn输入上的数据会被传输到锁存输出。锁存器在LE为高电平时保持对数据输入的穿透，并存储使能从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间存出现的数据。

3态输出缓冲器设计用于驱动高负载3态总线、MOS存储器或MOS微处理器。每个低电平有效输出使能(OE)都控制独立于锁存器操作的所有八个3态缓冲器。

OE为低电平时，锁存或穿透数据出现在输出处。OE为高电平时，输出处于高阻抗“关断”状态，这意味着它们既不驱动也不加载总线。

• 输入和输出排列，可实现与微处理器的轻松接合
• 适用于总线接合的3态输出
• 一般输出使能控制
• TTL输入和输出切换电平
• 5 V电源系统的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 允许带电插拔
• 输出连接到5 V总线时无总线电流负载
• 上电重置
• 上电3态
• 闭锁保护
  • JESD78 II类超过500 mA
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• PMEG3050BEP - 5 A低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
• BUK953R2-40B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PIMZ2 - NPN/PNP通用双晶体管
• 74HC1G02GV - 2输入或非门
• PBSS4330PAS - 30 V、3 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• PBSS4032PD - 30 V，2.7 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• BLF8G09LS-400PGW - 功率LDMOS晶体管
• BLF184XRG - 功率LDMOS晶体管
• PDTA123JU - PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• PMBT2907AYS - 60V, 600 mA, double PNP switching transistor