74LVT573是高性能BiCMOS产品，设计用于3.3 V的VCC操作。该器件是八进制透明锁存器，耦合到八个3态输出缓冲器。该器件的这两个部分由锁存使能(LE)和输出使能(OE)控制门独立控制。74LVT573具有宽边针脚配置，可方便PC板布局并实现与微处理器的轻松接合。

锁存使能(LE)输入为高电平时，Dn输入上的数据会被传输到锁存输出。锁存器在LE为高电平时保持对数据输入的穿透，并存储使能从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间存出现的数据。

3态输出缓冲器设计用于驱动高负载3态总线、MOS存储器或MOS微处理器。每个低电平有效输出使能(OE)都控制独立于锁存器操作的所有八个3态缓冲器。

OE为低电平时，锁存或穿透数据出现在输出处。OE为高电平时，输出处于高阻抗“关断”状态，这意味着它们既不驱动也不加载总线。

• 输入和输出排列，可实现与微处理器的轻松接合
• 适用于总线接合的3态输出
• 一般输出使能控制
• TTL输入和输出切换电平
• 5 V电源系统的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 允许带电插拔
• 输出连接到5 V总线时无总线电流负载
• 上电重置
• 上电3态
• 闭锁保护
  • JESD78 II类超过500 mA
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• PMEG6030EVP - 高温60 V、3 A肖特基势垒整流二极管
• 74AUP1Z125GS - 低功耗晶体驱动器，带使能和内部晶体管；3态
• BC54PA - 45 V，1 A NPN中等功率晶体管
• NX3L1T53 - 低电阻单刀双掷模拟开关
• PSMN2R0-30YLD - N沟道30 V，2.0 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术
• 74LVC3G06DP - 三路反相器，带开漏输出
• NX5P2924BUK - 逻辑控制的高侧电源开关
• IP4283CZ10-TBR - 用于超高速接口的ESD保护
• 74HCT573PW - 八进制D型透明锁存器；3态
• 74AHC123APW - 双可再触发单稳态多谐振荡器，带重置