74LVT16543A是高性能BiCMOS产品，设计用于3.3 V的Vcc操作。该器件可用作两个8位收发器或一个16位收发器。

74LVT16543A包含两组八位元D型锁存器，每组都具有单独的控制针脚。以A到B的数据流为例， A到B使能(nEAB)输入和A到B锁存使能(nLEAB)输入为低电平时，A到B路径是透明的。

nLEAB信号后续的低电平至高电平跃迁会将A数据置入存储其的锁存器中，且B输出不再随A输入变化。nEAB和nOEAB都为低电平时，3态B输出缓冲器处于激活状态并且会显示A锁存器输出处存在的数据。

控制B到A的数据流类似，不过其使用的是nEBA、nLEBA和nOEBA输入。

提供有源总线保持电路是为了使闲置或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。

• 16位总线接口
• 3态缓冲器
• 输出能力：+64 mA / -32 mA
• TTL输入和输出切换电平
• 5 V电源系统的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 允许带电插拔
• 上电3态
• 上电重置
• 输出连接到5 V总线时无总线电流负载
• 闭锁保护超过500 mA，符合JEDEC Std 17标准
• ESD保护根据MIL STD 883方法3015超过2000 V，根据机器模型则超过200 V

• PMEG1030EH; PMEG1030EJ - 10 V、3 A超低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
• HEF40098BT - 六频反相缓冲器（三态）
• PDTD123Y series - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 10 kOhm
• PMDT290UCE - 20 / 20 V，800 / 550 mA N/P沟道Trench MOSFET
• BLF6G22LS-40P - 功率LDMOS晶体管
• BC53PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A PNP medium power transistors
• BZA462A - 四倍ESD瞬态电压抑制器
• MF1SPLUS8031DUD - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• BCP68-25 - 20 V，2 A NPN中等功率晶体管
• 74HC365D - 六位元缓冲器/线路驱动器；3态