74LVT16543A是高性能BiCMOS产品，设计用于3.3 V的Vcc操作。该器件可用作两个8位收发器或一个16位收发器。

74LVT16543A包含两组八位元D型锁存器，每组都具有单独的控制针脚。以A到B的数据流为例， A到B使能(nEAB)输入和A到B锁存使能(nLEAB)输入为低电平时，A到B路径是透明的。

nLEAB信号后续的低电平至高电平跃迁会将A数据置入存储其的锁存器中，且B输出不再随A输入变化。nEAB和nOEAB都为低电平时，3态B输出缓冲器处于激活状态并且会显示A锁存器输出处存在的数据。

控制B到A的数据流类似，不过其使用的是nEBA、nLEBA和nOEBA输入。

提供有源总线保持电路是为了使闲置或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。

• 16位总线接口
• 3态缓冲器
• 输出能力：+64 mA / -32 mA
• TTL输入和输出切换电平
• 5 V电源系统的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 允许带电插拔
• 上电3态
• 上电重置
• 输出连接到5 V总线时无总线电流负载
• 闭锁保护超过500 mA，符合JEDEC Std 17标准
• ESD保护根据MIL STD 883方法3015超过2000 V，根据机器模型则超过200 V

• BLM7G1822S-80PB - LDMOS 2-stage power MMIC
• PIMD2 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1?=?22?kΩ，R2?=?22?kΩ
• A7005CGHN1 - 安全验证微控制器
• SC28L198A1A - 3.3 V和5 V电源电压的八通道UART
• BZX79-C3V9 - 稳压器二极管
• PDTA114YT - PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BZX84J-B51 - 单倍齐纳二极管
• PZU4.7B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BZX585-B6V2 - 稳压器二极管
• PUMB11 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 10 k?