74LVT16373A是高性能BiCMOS产品，设计用于3.3 V的Vcc操作。

该器件是带非反相3态总线兼容输出的16位穿透D型锁存器。该器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。使能(E)输入为高电平时，Q输出跟随数据(D)输入。使能变为低电平时，Q输出在从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间被锁存在D输入的电平。

• 16位穿透锁存器
• 3态缓冲器
• 输出能力：+64 mA / -32 mA
• TTL输入和输出切换电平
• 5 V电源系统的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 允许带电插拔
• 上电复位
• 上电3态
• 输出连接到5 V总线时无总线电流负载
• 闭锁保护超过500 mA，符合JEDEC Std 17标准
• ESD保护根据MIL STD 883方法3015超过2000 V，根据机器模型则超过200 V

• PUMH10 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74HCT4060BQ - 14级二进制纹波计数器，带振荡器
• BUK9Y25-80E - N沟道80 V，27 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• PZU15BA - 单倍齐纳二极管
• BGU8019 - SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for GPS, GLONASS, Galileo and Compass
• 74AHC132BQ - 四路2输入与非施密特触发器
• PMEG3005CT - 500 mA低V_F双MEGA肖特基势垒整流二极管
• 74ALVCH16374DGG - 2.5 V/3.3 V 16位边沿触发D型触发器（三态）
• NXP3875G - 50 V，150 mA NPN通用晶体管
• BAP51LX - 硅PIN二极管