74LVC2G04提供双路反相缓冲器。

输入可从3.3 V器件或5 V器件驱动。这些特性允许在3.3 V和5 V混合电压环境中使用这些器件。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成损坏。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 与5 V逻辑器件连接的5 V容压输入
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动（VCC = 3.0 V）
• CMOS低功耗
• 锁存性能超过250 mA
• 直接与TTL电平接合
• 输入接受高达5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PSMN075-100MSE - N沟道100 V 71 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK33封装，专为PoE应用而设计
• TDZ2V4J - 单倍齐纳二极管
• PSMN9R5-100PS - N沟道100 V 9.6 m?标准电平MOSFET，采用T0220封装
• BZV55-B8V2 - 稳压器二极管
• PMBT6428; PMBT6429 - NPN通用晶体管
• 74HC1G00GV - 2输入与非门
• PTVS64VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
• PDTC143EQA - 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors
• 74AUP1G19GW - 低功耗2选1解码器/解复用器
• 74AXP2G17 - Low-power dual Schmitt trigger