74LVCH32373A是32位D型穿透锁存器，具有适用于每个锁存器的单独D型输入和适合总线应用的3态输出。每个八位部分都提供一个锁存使能(nLE)输入和一个输出使能输入(nOE)。输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。

该器件由八个带3态真正输出的D型穿透锁存器的4部分组成。输入nLE为高电平时，nDn输入处的数据会输入锁存器。在这种情况下，锁存器是穿透的，即每当与锁存输出对应的D输入发生变化时，锁存输出都会随之变化。

输入nLE为低电平时，锁存器存储nLE从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间在D输入处出现的信息。输入nOE为低电平时，八个锁存器的内容可在输出上获取。输入nOE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。nOE输入的操作不会影响锁存器的状态。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。在3态操作中，输出能处理5 V的电压。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

数据输入上的总线保持无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入。

• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• Multibyte直通式标准针脚排列架构
• 多个低电感电源针脚，可实现最低噪声和地弹
• 具有TTL电平的直接接口
• 所有数据输入都具有总线保持
• VCC = 0 V时的高阻抗
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
• 采用塑封精细间距球栅阵列封装

• PTVS8V5P1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• UBA2081T - 半桥电平转换控制器IC
• PSMN1R7-30YL - N沟道30 V 1.7 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装
• BAS521 - 单个高压开关二极管
• 74LVT245PW - 3.3 V八进制收发器，具有方向针脚（3态）
• PEMD15 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• BLF7G27LS-150P - 功率LDMOS晶体管
• PCA8576DU - 低复用率1:4的汽车级40 x 4 LCD分段驱动器
• 74AHC(T)1G02 - 2输入或非门
• BZX884-C36 - 稳压器二极管