74LVC2GU04提供两个反相器。每个反相器都是一个无缓冲输出的单级。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AHCT2G32DC - 双路2输入或门
• BUK9Y29-40E - N-channel 40 V, 29 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• BUK964R8-60E - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PSMN016-100BS - N沟道100 V 16 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• 74LV00DB - 四路2输入与非门
• 74AUP1G132GM - 低功耗2输入与非门施密特触发器
• PUMD48 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 kΩ和R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• PBSS4612PA - 12 V，6 A NPN低V_CEsat (BISS)晶体管
• PMXB56EN - 30 V，N沟道Trench MOSFET
• PMDPB70XP - 30 V，双P沟道Trench MOSFET