74LVCH322244A是带3态输出的32位非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入nOE控制。输入nOE上的高电平使输出呈高阻抗关断状态。

该器件设计为在高电平和低电平输出级中都具有30 Ω的串联端接电阻，以减少线路噪声。

为确保上电或掉电期间的高阻抗状态，nOE应当通过上拉电阻连接到VCC；最低电阻值由驱动器灌入电流的能力确定。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。在3态操作中，输出能处理5 V的电压。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

数据输入上的总线保持无需使用外部上拉电阻来将未使用的输入或浮动数据输入保持在有效的逻辑电平。

• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• MULTIBYTE直通式标准针脚排列架构
• 多个低电感电源和接地针脚，可实现最低噪声和地弹
• 具有TTL电平的直接接口
• 集成式30 Ω端接电阻
• 所有数据输入都具有总线保持
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
• 采用塑封精细间距球栅阵列封装

• 74AHC32D - 四路2输入或门
• BLS6G2735L(S)-30 - S波段LDMOS晶体管
• 74AUP1G158 - 低功耗2输入多路复用器；反相
• BC54-16PA - 45 V，1 A NPN中等功率晶体管
• 1PS70SB10 - 单倍肖特基势垒二极管
• BZT52H-B13 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74LVC3G34GM - 三路缓冲器
• BF861B - N沟道FET
• XC7SH02GV - 2输入或非门
• PZU27BA - 单倍齐纳二极管