
PSMN070-200P技术文档下载:
PSMN070-200P产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- P3041NXN7NNC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PMSTA05,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
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- MKE04Z8VFK4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- TJA1463ATK/0 - 接口 - 驱动器,接收器,收发器
- 74LV573D,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
- 74LVT574PW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- 74HC93DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 计数器,除法器
- UBA2211BP/N1,112 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 照明,镇流器控制器
- MRF6S21060NR1 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- TDA8034AT/C1,112 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- 74HC373DB,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
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- A3M36SL037IAAT2 - 射频和无线 > 射频放大器
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- MCF5281CVF80 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PSMN070-200P - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
PSMN070-200P是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN070-200P是N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET,本站介绍了PSMN070-200P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN070-200P相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN070-200P - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
SiliconMAX标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用TrenchMOS技术。该产品仅设计适用于计算、通信、消费电子和工业应用。
产品特性和优势
- 低热阻抗,因而工作功率更高
- 低导通电阻,因而导通损耗很小
- 快速开关特性,因而适用于高频应用
产品应用
- DC-DC转换器
- 开关电源
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