74LVC2G08提供一个2输入与门功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC2G08用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AUP1G3208GN - 低功耗3输入或与门
• BAV99S - 高速开关二极管
• 74LVT16244BDGG - 3.3 V 16位缓冲器/驱动器；3态
• TJA1051 - 高速CAN收发器
• 74CBTLV3384BQ - 10位总线开关，具有5位输出使能
• PSMN011-60ML - N沟道60 V 11.3 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装
• 74AHC1G07GV - 缓冲器，带开漏输出
• PBSS4112PAN - 120 V，1 A NPN/NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74ALVC162834ADGG - 18位寄存驱动器，具有倒相寄存器使能和30 Ω端接电阻（3态）
• PESD3V3V4UK - 极低电容单向四倍ESD保护二极管阵列