74LVC594A是带存储寄存器的8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器。移位和存储寄存器上都提供单独的时钟和复位输入。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

移位寄存器具有用于级联的一个串行输入(DS)和一个串行输出(Q7S)。数据在SHCP输入正向跃迁时移位。移位寄存器中的数据在STCP输入正向跃迁时会被传输到存储寄存器。如果两个时钟连在一起，则移位寄存器将总是比存储寄存器超前一个时钟脉冲。两个寄存器复位针脚（SHR和STR）的其中之一上的低电平将清零相应的寄存器。

• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 平衡传播延迟
• 所有输入都具有施密特触发动作
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 串行到并行数据转换
• 遥控保持寄存器

• MF1S7001XDUD - MIFARE Classic 4K - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• BLC8G27LS-100AV - LDMOS功率晶体管
• 74LVT04PW - 3.3 V六频逆变器
• PZU13DB2 - 双倍齐纳二极管
• NX3008PBKV - 30 V，220 mA双P沟道Trench MOSFET
• 74LVC3G17GN - 三路非反相施密特触发器，带5 V容压输入
• PESD5V0F1BRLD - 毫微微法拉级(Femtofarad)双向ESD保护二极管
• BGU8L1UK - SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE
• PESD5V0S1USF - 单向ESD保护二极管
• TDA8920CJ - 2 x 110 W D类功率放大器