74LVC3G34提供三个缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C。

• BLF6G10LS-135RN - 功率LDMOS晶体管
• BZV49-C47 - 稳压器二极管
• SL3S4021FHK - UCODE I2C
• BUK6C3R3-75C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• 74LVC1G80GW - 单D型触发器；正沿触发器
• PMEG1030EJ - 10 V、3 A超低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
• TJA1044T - 具有待机模式的高速CAN收发器
• 74AUP2G07GS - 低功耗双路缓冲器，带开漏输出
• 74LVT245DB - 3.3 V八进制收发器，具有方向针脚（3态）
• TEA1752LT - 具有集成DCM/ QR PFC控制器的HV启动DCM/ QR返驰控制器