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BLF6G10LS-135RN技术文档下载：
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- 74ABT373AD,118 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 锁存器
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- MFS2632AMBA0AD - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电源管理 - 专用
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- 74HC259PW,118 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 锁存器
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- PCKV857EV,118 - 集成电路（IC） > 时钟/定时 > 应用特定时钟/定时
BLF6G10LS-135RN - 功率LDMOS晶体管
BLF6G10LS-135RN是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品，BLF6G10LS-135RN是功率LDMOS晶体管，本站介绍了BLF6G10LS-135RN的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLF6G10LS-135RN相关的NXP元器件型号供参考。
BLF6G10LS-135RN - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
135 W LDMOS功率晶体管，适用于700 MHz至1000 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 方便的功率控制
- 集成ESD保护
- 增强的强度
- 高效率
- 极佳的热稳定性
- 主要用于宽带操作（700 MHz至1000 MHz）
- 内部匹配以方便使用
- 符合RoHS的Directive 2002/95/EC
产品应用
- GSM、GSM EDGE、W-CDMA和CDMA基站RF功率放大器
- 700 MHz 至1000 MHz频率范围内的多载波应用
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