74LVC3G34提供三个缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C。

• 74AVCH8T245BQ - 8位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• TFF1018HN - 适用于卫星LNB的集成式混频器振荡器PLL
• 74LV165A - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• 74HC2G86GD - 双路2输入异或门
• 74LVTH16244BDGG - 3.3 V 16位缓冲器/驱动器；3态
• PSMN7R8-120ES - N沟道120 V 7.9 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装
• 74HCT4094DB - 8级移位和存储总线寄存器
• PBSS5140U - 40 V PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PBSS8110T - 100 V、1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74LVT162374 - 带30 Ohm终端电阻的3.3 V 16位边沿触发D型触发器（三态）