74LVC3G34提供三个缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C。

• NCX2202 - 低压比较器；开漏输出
• PN5180A0ET - High-power NFC frontend solution
• 74AUP2G34GW - 低功耗双路缓冲器
• PMCM4401VPE - 12 V, P-channel Trench MOSFET
• BZB84-C2V4 - 双倍齐纳二极管
• PCA6408APW - 带有中断输出、复位和配置寄存器的低电压、8位I2C总线和SMBus I/O扩展器
• 74LVT14DB - 3.3 V十六进制反相器施密特触发器
• PMV75UP - 20 V，P沟道Trench MOSFET
• BUK663R5-30C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• 74LVC2G86DC - 双路2输入异或门