74LVC3G04提供三个反相缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AXP1G125GN - 低功耗缓冲器/线路驱动器（三态）
• TDA10025HN - 双电缆解调器
• PZU3.9B2A - 单倍齐纳二极管
• PCAL9554BBS - 带有中断、弱上拉和灵活I/O的低电压8位I2C总线/SMBus低功率I/O端口
• PBSS4041SP - 60 V，5.9 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PDTA124ET - PNP配电阻晶体管；R1 = 22 kΩ，R2 = 22 kΩ
• PZU7.5BA - 单倍齐纳二极管
• 74LVC1G38GF - 2输入与非门；开漏
• BAT160A - 双倍肖特基势垒二极管
• PHD38N02LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET